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- 型号： MPLAD15KP11CAE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP11CAE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP11CAE3价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP11CAE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP11CAE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP11CAE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP11CAE3 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率双向瞬态电压抑制二极管（TVS），属于MPLAD系列，额定峰值脉冲功率达15kW，击穿电压约12.2V（典型值），反向关断电压为11V，箝位电压约19.9V（在峰值脉冲电流下）。 其主要应用场景包括： - 工业控制系统：用于PLC、DCS模块及现场总线接口（如RS-485/422）的浪涌防护，抵御雷击感应或开关操作引起的高压瞬变。 - 电源输入端口保护：适用于12V直流供电系统（如通信电源、安防设备电源输入），防止EFT（电快速瞬变）和雷击浪涌损坏后级DC-DC转换器或MCU。 - 轨道交通与能源设备：在机车控制单元、光伏逆变器辅助电源或储能BMS中，提供IEC 61000-4-5 Level 4（4kV/2Ω）等级的浪涌防护。 - 恶劣环境电子设备：凭借高可靠性、宽工作温度范围（–65°C 至 +175°C）及符合AEC-Q101（部分批次）的特性，适用于车载信息娱乐系统、工程机械控制器等对鲁棒性要求严苛的场合。 该器件采用DO-218AB封装，具备低钳位比和快速响应（<1ns），特别适合需承受高能量（如10/1000μs波形）瞬变冲击的关键节点保护。注意：实际应用中需配合PCB布局优化（短路径、低电感布线）及前端限流措施（如PTC或保险丝），以确保可靠防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP11CAE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7171 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 822A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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