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- 型号： MP6M12TCR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MP6M12TCR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MP6M12TCR价格参考。ROHM SemiconductorMP6M12TCR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MP6M12TCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MP6M12TCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MP6M12TCR 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 P 沟道双通道 MOSFET 阵列（采用 SOT-23-6 封装），具有低导通电阻（Rds(on) typ. 120 mΩ @ Vgs = −4.5 V）、低阈值电压（Vth ≈ −0.9 V 至 −1.5 V）及高集成度特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关，用于控制子系统（如传感器、LED、无线模块）的供电通断，实现低功耗待机与快速启停。 2. 电池供电系统的反向电流保护与电源路径管理：在单节锂电（2.5–5.5 V 工作范围）应用中，双 P-MOSFET 可构成高效、无体二极管压降的双向隔离或电源切换电路，避免电池倒灌。 3. 逻辑电平转换与信号驱动：适用于 1.8 V / 3.3 V MCU GPIO 直接驱动（因低阈值），用于驱动小功率负载（如蜂鸣器、LED 阵列、继电器线圈等），简化外围驱动电路。 4. 工业与消费类小型 DC-DC 辅助电路：在同步降压/升降压转换器中作为同步整流开关（需配合控制器），或用于 LED 背光调光驱动中的 PWM 开关阵列。 注意：该器件为 P 沟道阵列，不适用于高侧高压大电流主开关场景；设计时需注意热管理（封装散热能力有限）及栅极驱动稳定性（建议加 RC 缓冲抑制振铃）。实际选型应结合具体电压、电流、开关频率及可靠性要求进行验证。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MP6M12TCR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | MP6M12TCRDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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