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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MP6K31TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MP6K31TR价格参考。ROHM SemiconductorMP6K31TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MP6K31TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MP6K31TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MP6K31TR 是一款由 Rohm(罗姆)生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列(非“品牌为-”;实际品牌为 ROHM,型号 MP6K31TR),采用 SOP-8 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 65 mΩ @ Vgs=10V)、快速开关特性及内置ESD保护。 其典型应用场景包括: 1. DC-DC 电源转换:常用于同步降压(Buck)转换器的高边/低边驱动,提升转换效率(如手机快充模块、便携设备电源管理); 2. 负载开关与电源路径管理:在电池供电设备(如TWS耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点)中实现系统电源的智能启停与热插拔保护; 3. 电机驱动与LED调光:适用于小型直流电机(如微型风扇、振动马达)的H桥或半桥驱动,以及多路LED背光/指示灯的PWM调光控制; 4. 接口电平转换与信号切换:利用其低阈值电压(Vth ≈ 1.0–2.5V)和小尺寸封装,用于MCU GPIO扩展或I²C/SPI总线缓冲隔离。 该器件工作结温范围宽(-55°C 至 +150°C),具备良好的热稳定性和可靠性,适合空间受限、能效敏感的消费电子与工业控制场景。需注意:实际选型请以ROHM官方数据手册为准,避免误用无品牌(“-”)信息。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A MPT6MOSFET Nch+Nch 60V 2A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor MP6K31TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MP6K31TR |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 255 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 255 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | MP6K31DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | MPT-6 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A |
| 配置 | Dual |