Datasheet下载- 型号： MMUN2217LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2217LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2217LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2217LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2217LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2217LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2217LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管 (BJT)，属于单晶体管类别。该型号的晶体管通常用于以下应用场景： 1. 信号放大 - MMUN2217LT1G 可用于音频、射频或低功率信号的放大。其预偏置设计使其能够稳定地工作在特定的偏置点，适用于需要高增益和低失真的信号放大电路。 - 常见应用包括麦克风前置放大器、音频功放的前级驱动等。 2. 开关电路 - 作为开关元件，该晶体管可以用于数字电路中的开关功能。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中，它可以用作电流放大器以驱动负载。 - 其预偏置特性简化了电路设计，减少了对外部偏置电路的需求。 3. 电源管理 - 在低功率电源管理领域，MMUN2217LT1G 可用作线性稳压器中的关键组件。例如，在调整管电路中，它可以通过调节电流来维持输出电压的稳定性。 - 此外，它还可以用于简单的电流源或限流保护电路。 4. 射频与无线通信 - 由于其高频性能和低噪声特性，该晶体管适合用于射频信号的放大和调制解调电路。例如，在无线传感器节点或低功耗无线模块中，它可以作为射频前端的一部分。 5. 工业自动化与控制 - 在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号调理、数据采集系统的输入缓冲以及小型执行器的驱动。 - 它的预偏置特性使其能够在复杂环境中保持稳定的性能，减少温度漂移的影响。 6. 消费电子 - 在家用电器、玩具和其他便携式设备中，MMUN2217LT1G 可用于实现简单而高效的电路功能，如电池监测、指示灯控制等。 总结 MMUN2217LT1G 的主要优势在于其预偏置设计，这使得它在许多低功耗、高精度的应用场景中表现出色。无论是信号放大、开关控制还是电源管理，这款晶体管都能提供可靠的性能，同时简化电路设计并降低调试难度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMUN2217LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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