Datasheet下载- 型号： MMUN2211LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2211LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2211LT3G价格参考￥0.07-￥0.07。ON SemiconductorMMUN2211LT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2211LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2211LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2211LT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型。该器件具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性，适合用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 开关应用 - 电源管理：可用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理系统中的开关元件。 - 负载开关：控制电路中负载的通断，例如驱动继电器、LED 或小型电机。 - 信号切换：在多路复用器或多路选择器中实现信号路径的切换。 2. 放大应用 - 音频信号放大：适用于低功率音频放大器，用于驱动扬声器或耳机。 - 传感器信号放大：将微弱的传感器信号放大到可被后续电路处理的水平。 - 射频（RF）信号放大：在低频或中频通信设备中作为前置放大器使用。 3. 保护电路 - 过流保护：通过检测电流大小，控制电路的通断以防止过载。 - 短路保护：在发生短路时快速切断电流路径，保护其他敏感元件。 4. 电机驱动 - 驱动小型直流电机或步进电机，提供必要的电流和电压控制。 - 在 H 桥电路中与其他 BJT 配合，实现电机的正转、反转和制动功能。 5. 通信与数据传输 - 调制与解调：用于 AM/FM 调制器或解调器电路中。 - 信号缓冲：增强信号驱动能力，确保信号完整性。 6. 消费电子 - 家用电器：如风扇、水泵等小功率设备的控制。 - 玩具与游戏设备：驱动小型电机、灯光或声音模块。 特点总结 MMUN2211LT3G 的预偏置设计简化了电路设计过程，降低了对复杂外围元件的需求。其紧凑的 SOT-23 封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。同时，其高性能参数（如低饱和电压和高增益）使其成为许多低功耗和高效能应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2211LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2211LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2211LT3GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | MMUN2211L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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