Datasheet下载- 型号： MMUN2130LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2130LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2130LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2130LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2130LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2130LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2130LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极与基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ），无需外部偏置电路，可直接由数字信号（如MCU GPIO、逻辑门输出）驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 数字开关控制：常用于微控制器I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗负载（≤100 mA），简化PCB设计并节省空间； ✅ 电平转换/信号缓冲：在3.3 V MCU与5 V系统间实现简易单向电平适配（如驱动5 V LED指示灯）； ✅ 过流保护与状态检测电路：配合限流电阻，用作负载开路/短路检测的有源开关； ✅ 消费电子与工业控制板：广泛应用于打印机、家电控制板、电源管理模块、传感器接口等对成本、尺寸和可靠性敏感的中低速开关场合。 该器件采用SOT-23封装，具备高增益（hFE ≈ 60–160）、快速开关特性（tₒₙ/tₒff 约数十纳秒）及良好的热稳定性，但不适用于高频放大或大功率开关（建议Ic ≤ 100 mA，Vceo = 50 V）。使用时需注意输入电压范围（推荐Vi ≤ 5.5 V）及功耗限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2130LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MMUN2130LT1 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商