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产品简介:
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MMT08B260T3G 是安森美(ON Semiconductor)推出的晶闸管型瞬态电压抑制器(TVS Thyristor),主要用于高能量、高可靠性过压保护。其关键参数包括:击穿电压约260V(典型值)、峰值脉冲电流达80A(8/20μs波形)、响应时间极快(纳秒级)、维持电流低(约15mA),采用SOT-23-3L小型封装。 典型应用场景包括: 1. 通信接口保护:如RS-485/RS-422总线端口,抵御雷击感应浪涌和EFT(电快速瞬变)干扰; 2. 工业控制与PLC系统:保护模拟输入/输出通道、传感器信号线免受电源耦合或开关噪声引起的高压瞬变; 3. 智能电表与能源计量设备:满足IEC 61000-4-5(浪涌抗扰度)Level 3/4要求,保障计量精度与长期可靠性; 4. 直流电源输入端防护:配合保险丝或PTC,用于24V/48V工业电源入口,实现“钳位+切断”协同保护(导通后维持低钳位电压并锁定,直至电流低于维持电流)。 该器件属GTO(门极可关断)型晶闸管结构,具备“触发即锁存、断流才复位”特性,适合需强鲁棒性且允许短暂中断的场合。不适用于高频重复脉冲或需自动恢复的AC线路保护(此时推荐双向TVS二极管或MOV)。使用时需注意匹配串联阻抗以确保可靠关断,并避免在持续过压下长期导通导致热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TSPD BIDIRECT 260V 80A SMB |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMT08B260T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-导通 | 320V |
| 电压-断态 | 200V |
| 电压-通态 | 3V |
| 电容 | 55pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 80A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | 250A |