【未分类_MMT05B350T3】封装/厂家_MMT05B350T3中文资料_价格

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型号： MMT05B350T3
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMT05B350T3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMT05B350T3价格参考。ON SemiconductorMMT05B350T3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMT05B350T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMT05B350T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMT05B350T3 是安森美（ON Semiconductor）推出的晶闸管型瞬态电压抑制器（TVS Thyristor），主要用于高能量、高可靠性过压保护。其典型应用场景包括：

- 通信接口保护：如RS-485/RS-422总线、CAN总线、工业以太网端口，可承受IEC 61000-4-5规定的雷击浪涌（如4kV/2Ω组合波），快速钳位至安全电压（维持电压约5.5V），防止后级收发器损坏。

- 电源输入端口防护：适用于直流供电系统（如12V/24V工业电源输入），配合保险丝或PTC使用，抵御反接、感性负载关断尖峰及间接雷击引入的浪涌。

- 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）等的LIN总线或传感器供电线路，提供ISO 16750-2脉冲5a/5b及ISO 7637-2浪涌防护。

- 工业控制与自动化设备：在PLC I/O端子、继电器驱动电路、电机驱动反馈回路中，抑制开关噪声和电感反电动势引发的瞬态过压。

该器件具有低维持电流（＜10mA）、高浪涌电流能力（IPP=50A，8/20μs）、极低漏电流（＜1μA）及纳秒级响应速度，特别适合需“硬钳位”和自恢复特性的严苛环境。注意：须合理设计PCB布局（短路径、低寄生电感）并匹配前端限流阻抗，以确保可靠触发与系统协同保护。

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