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- 型号： MMT05B260T3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMT05B260T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMT05B260T3G价格参考。ON SemiconductorMMT05B260T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMT05B260T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMT05B260T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMT05B260T3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的晶闸管型瞬态电压抑制器（TVS Thyristor），专为高能量、高可靠性过压保护设计。其主要应用场景包括： - 通信接口保护：常用于RS-485、RS-232、CAN总线等工业通信端口，抵御雷击感应浪涌（如IEC 61000-4-5 Level 3/4）及静电放电（ESD）。 - 电源输入端防护：适用于AC/DC适配器、PoE（以太网供电）受电设备（PD）、智能电表等的直流输入侧，钳位高达数十安培的8/20μs浪涌电流（IPP ≈ 50A），维持低维持电流（IH < 15mA），确保浪涌后自动恢复导通。 - 汽车电子系统：满足AEC-Q101认证，可用于车载信息娱乐（IVI）、车身控制模块（BCM）中LIN/CAN线路或12V电源轨的抛负载（Load Dump）和反向电池保护辅助方案（需配合其他器件）。 - 工业自动化设备：在PLC I/O模块、传感器接口、继电器驱动电路中，提供快速响应（tR < 1μs）、低泄漏电流（IDRM < 1μA）的双向过压闭锁保护，防止微控制器或模拟前端损坏。 该器件采用SOT-23封装，体积小、寄生电感低，适合高频/高di/dt场景；其260V击穿电压（VDRM）适用于24V–48V系统，兼具高鲁棒性与长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | THYRIST TSPD BIDIR 50A 200V SMB |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMT05B260T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 其它名称 | MMT05B260T3GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-导通 | 320V |
| 电压-断态 | 200V |
| 电压-通态 | 3V |
| 电容 | 75pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | 150A |
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