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- 型号： MMT05B260T3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMT05B260T3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMT05B260T3价格参考。ON SemiconductorMMT05B260T3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMT05B260T3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMT05B260T3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMT05B260T3 是安森美（ON Semiconductor）推出的晶闸管型瞬态电压抑制器（TVS Thyristor），主要用于高能量、高可靠性过压保护。其典型应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-485、RS-232、CAN总线等工业通信端口，可有效抑制雷击感应浪涌（如IEC 61000-4-5 Level 3/4）及开关噪声引起的高压尖峰。 - 电力线/信号线防雷保护：适用于智能电表、PLC模块、楼宇自动化设备中AC/DC电源输入或信号输入端的二级防护（常与GDT或压敏电阻配合构成多级防护电路）。 - 汽车电子系统：满足AEC-Q101认证，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中对12V/24V电源轨的浪涌防护（如负载突降、ISO 7637-2脉冲5a/b）。 - 工业传感器与I/O模块：在恶劣电磁环境中为模拟量输入（4–20mA）、数字I/O提供快速响应（触发电压约260V，导通后维持电压低至≈10V）、大通流能力（ITSM=50A, 8/20μs）的钳位保护。 该器件采用SOT-23-3封装，体积小、响应快（纳秒级），具备双向对称特性，无需区分极性，适合空间受限且需高鲁棒性的嵌入式系统。注意需配合限流阻抗（如PTC或电阻）使用，以避免误触发或持续导通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | THYRIST TSPD BIDIR 50A 200V SMB |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMT05B260T3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 其它名称 | MMT05B260T3OS |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-导通 | 320V |
| 电压-断态 | 200V |
| 电压-通态 | 3V |
| 电容 | 75pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | 150A |
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