Datasheet下载- 型号： MMSZ9V1ET1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ9V1ET1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ9V1ET1价格参考。ON SemiconductorMMSZ9V1ET1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ9V1ET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ9V1ET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ9V1ET1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为9.1 V（容差通常±5%），功率为500 mW（SOD-123封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：为ADC、DAC、传感器调理电路或电源监控IC提供稳定9.1 V基准电压，适用于中低精度要求的便携式设备或工业控制模块。 2. 过压保护与箝位：在信号线（如I²C、UART接口）或模拟输入端并联使用，将瞬态电压箝位于9.1 V附近，配合限流电阻可有效抑制ESD或浪涌干扰，常用于消费电子与通信模块。 3. 简易稳压供电：为小电流负载（如微控制器复位电路、LED偏置、运放偏置网络）提供局部稳压，尤其适用于电池供电系统中对成本和空间敏感的场合（需注意功耗限制，建议工作电流≤40 mA）。 4. 反馈电路辅助：在开关电源（如DC-DC转换器）的光耦反馈路径中，与TL431等器件配合实现多级电压检测或阈值设定。 该器件具备AEC-Q200认证（汽车级版本），亦可用于车载信息娱乐系统或车身电子中的非安全关键稳压/保护环节。需注意：不适用于大电流稳压或高精度基准场景；设计时应校核功耗、温升及长期稳定性，并建议添加输入限流电阻以确保可靠工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ9V1ET1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ9V1ET1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 15 欧姆 |
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