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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5268BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5268BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5268BT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5268BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5268BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5268BT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压调节与稳压: MMSZ5268BT1G 的齐纳击穿电压为 12V,适合用作简单的电压调节器。它可以在电源电路中提供稳定的参考电压,确保后级电路在一定范围内正常工作。 2. 过压保护: 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可以用于防止过高电压对电路的损害。例如,在输入端或电源线路上使用,当电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并分流多余电流,从而保护后续电路。 3. 信号电平转换: 在信号处理电路中,MMSZ5268BT1G 可用于将输入信号限制在特定的电压范围内。这对于模拟电路或数字接口中的信号电平匹配非常有用。 4. 基准电压源: 齐纳二极管可作为精密基准电压源的一部分,尤其是在需要简单且成本低廉的解决方案时。MMSZ5268BT1G 的低动态阻抗特性有助于提高基准电压的稳定性。 5. 浪涌抑制: 在瞬态电压抑制(TVS)应用中,该器件能够快速响应电压浪涌,并将其钳位到安全水平,适用于工业、汽车或消费类电子产品中的瞬态保护。 6. 音频和射频电路中的应用: 在某些音频或射频电路中,齐纳二极管可以用作限幅器或箝位器,以限制信号幅度并防止失真或损坏。 总结来说,MMSZ5268BT1G 因其高精度、小封装和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,特别是在需要稳定电压或保护功能的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 82V 500MW SOD123稳压二极管 82V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5268BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5268BT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 62V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5268BT1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 330 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 82V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 330 欧姆 |
| 齐纳电压 | 82 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |