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- 型号： MMSZ5261BT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5261BT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5261BT3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5261BT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5261BT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5261BT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5261BT3G 是安森美（onsemi）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为51 V（容差±5%），功率为350 mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器复位电路提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，钳位瞬态高压（如ESD或感应浪涌），保护后级IC（如通信接口、MCU I/O口）； 3. 电源反馈环路：用于低成本线性稳压器（如LDO）或开关电源的次级侧电压采样/误差放大反馈网络； 4. 电平转换与信号箝位：在模拟信号调理电路中限制信号幅值，防止运放饱和或ADC超量程； 5. 电池管理：在多节锂电池组电压监测中作分压稳压参考，辅助电量估算或过压告警。 该器件具有低泄漏电流（IZK典型值1 µA）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C）及AEC-Q200认证（适用于汽车电子），因此也常见于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。注意：因51 V工作电压较高，需确保PCB爬电距离与封装耐压匹配，并避免长期满负荷工作以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 47V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ5261BT3G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 36V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 47V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 105 欧姆 |
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