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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5259B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5259B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMSZ5259B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5259B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5259B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5259B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)出品的一款表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为39 V(容差±5%),额定功率为500 mW(在特定散热条件下),采用SOD-123封装。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗、中精度模拟电路中提供稳定的39 V参考电压,适用于传感器信号调理、ADC/DAC基准源或电源监控电路。 2. 过压保护(OVP):常用于输入端并联钳位,防止后级IC(如MCU、运放、接口芯片)因瞬态高压(如ESD、感应浪涌)而损坏;典型用于USB供电接口、工业I/O模块或电池管理系统(BMS)的前端防护。 3. 电源反馈环路:在小功率开关电源(如反激式适配器)或线性稳压器(如LDO辅助反馈)中,配合光耦或分压网络实现输出电压采样与稳压控制。 4. 电平转换与箝位:在通信接口(如RS-232、CAN收发器)中限制信号摆幅,防止超出器件绝对最大额定值。 需注意:该器件为单齐纳结构,不集成限流电阻,实际应用中必须外接串联限流电阻以控制功耗与工作电流(推荐IZT ≈ 20 mA)。其SOD-123封装适合自动化贴片生产,但热设计需考虑PCB铜箔散热能力,避免长时间满载导致温漂或失效。不适用于大电流稳压或高精度基准(建议选用带温度补偿的REF系列替代)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 39V 500MW SOD123稳压二极管 39V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMSZ5259B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5259B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5259B-FDITR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ5259B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
| 齐纳电压 | 39 V |
| 齐纳电流 | 3.2 mA |