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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5235BT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5235BT1价格参考。ON SemiconductorMMSZ5235BT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5235BT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5235BT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MMSZ5235BT1的齐纳二极管属于安森美半导体(ON Semiconductor)的产品线,广泛应用于各类电子电路中,主要作用是提供稳定参考电压或实现电压钳位保护。 MMSZ5235BT1的齐纳电压为20V,采用SOT-23小外形封装,适合在空间受限的电路设计中使用。其主要应用场景包括: 1. 电压参考:在电源管理电路、ADC/DAC参考电压源中,用于提供稳定的20V基准电压,确保系统测量或控制精度。 2. 过压保护:作为电压钳位器件,用于保护敏感电子元件免受瞬态电压或浪涌电压的损害,常见于通信接口、工业控制和传感器电路中。 3. 稳压电路:在低功耗稳压电路中作为简易稳压元件,适用于对成本和空间有要求的消费类电子产品。 4. 信号调理电路:在模拟电路中用于限制信号幅度,防止输入信号超出后续电路的承受范围。 由于其封装小巧、响应速度快、成本低,MMSZ5235BT1常用于便携设备、汽车电子、工业自动化及通信设备等场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MMSZ5235BT1 |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5235BT1OSCT |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 10 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |