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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5227BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5227BT1G价格参考¥0.15-¥0.16。ON SemiconductorMMSZ5227BT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ5227BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5227BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5227BT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: MMSZ5227BT1G 的齐纳电压为 4.7V,适合用于低电压电路中的稳压功能。它可以将输出电压稳定在指定值,保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护: 在电源或信号线路中,该齐纳二极管可用于防止过高的电压损坏敏感的电子元件。例如,在 USB 接口或其他低电压输入端口上提供过压保护。 3. 参考电压源: 齐纳二极管可以作为稳定的参考电压源,用于运算放大器、比较器或 ADC/DAC 的基准电压输入,确保系统精度。 4. 信号箝位: 在信号处理电路中,MMSZ5227BT1G 可以用来箝位信号电平,限制信号的最大或最小值,避免超出允许范围。 5. 电源监控电路: 在电池供电设备中,该齐纳二极管可用于检测电池电压是否低于或高于某个阈值,并触发相应的保护机制。 6. 音频和通信电路: 由于其低功率特性和稳定性,MMSZ5227BT1G 可用于音频放大器或通信设备中的偏置电压生成和信号调节。 7. 温度补偿电路: 结合其他温度敏感元件,齐纳二极管可以用于构建温度补偿电路,以提高系统的环境适应性。 总结来说,MMSZ5227BT1G 主要应用于需要低电压稳压、保护或参考电压的场景,广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123稳压二极管 3.6V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5227BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5227BT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 15µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5227BT1GOS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 15 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 24 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 24 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.6 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |