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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4687T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4687T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4687T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ4687T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4687T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4687T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几种: 1. 电压稳压: MMSZ4687T1G 的齐纳电压为 6.8V,适用于需要稳定电压的电路。例如,在电源电路中,它可以用来提供稳定的参考电压,确保后级电路在波动的输入电压下仍能正常工作。 2. 过压保护: 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可以用于防止过高的电压损坏电路。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后续元件。 3. 信号电平调整: 在信号处理电路中,MMSZ4687T1G 可以用来钳位信号电平,确保信号幅度在特定范围内。这种应用常见于音频、视频或其他模拟信号处理场景。 4. 电源监控电路: 齐纳二极管可以与比较器或微控制器配合使用,监测电源电压是否低于或高于某个阈值。MMSZ4687T1G 的 6.8V 齐纳电压非常适合用作基准点。 5. 温度补偿电路: 由于齐纳二极管的特性可能随温度变化,MMSZ4687T1G 可与其他温度敏感元件结合,设计成具有温度补偿功能的电路,以提高系统的稳定性。 6. 电池管理系统 (BMS): 在电池充电或放电过程中,齐纳二极管可用于检测和限制电压,避免电池过充或过放,延长电池寿命。 7. LED 限压保护: 在 LED 驱动电路中,MMSZ4687T1G 可以用来限制驱动电压,防止 LED 因过高电压而损坏。 总结来说,MMSZ4687T1G 适合应用于需要精确电压控制、保护或信号调节的场合,广泛用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123稳压二极管 4.3V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4687T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ4687T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 4µA @ 2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ4687T1GOSTR |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 4 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ4687 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |
齐纳电压 | 4.3 V |
齐纳电流 | 50 uA |