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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSF4N01HDR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSF4N01HDR2价格参考。ON SemiconductorMMSF4N01HDR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSF4N01HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSF4N01HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSF4N01HDR2 是一款由安森美(onsemi)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 85 mΩ @ Vgs=10V)、低栅极电荷(Qg≈3.5 nC)和高开关速度,适用于小功率、高效率、空间受限的场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路,利用其低静态电流与快速关断能力实现高效启停控制。 ✅ LED 驱动与背光控制:在小型 LCD 或 OLED 显示模组中,作为恒流驱动的开关元件,支持 PWM 调光。 ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流:在升压/降压微型电源模块(如 5V→3.3V LDO 替代方案)中提升转换效率。 ✅ 电机驱动(微型):用于振动马达、微型风扇或摄像头 OIS 镜头驱动等毫瓦级直流电机的 H 桥或单路开关控制。 ✅ 接口保护与热插拔电路:配合限流/过压保护 IC,实现 USB 或 I²C 等信号线的防反接与浪涌防护。 注:该器件额定电压为 100 V,连续漏极电流 ID=0.4 A(Tc=25°C),不适用于大电流或高压主功率路径,需注意散热设计(SOT-23 功耗受限)。建议搭配 4.5–10 V 栅极驱动,兼容 3.3 V/5 V MCU IO 直接控制。