Datasheet下载- 型号： MMRF1306HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1306HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1306HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1306HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1306HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1306HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMRF1306HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： 4G/5G蜂窝基站功率放大器（PA）：工作频率覆盖1.8–2.7 GHz，适用于宏基站和大规模MIMO（Massive MIMO）系统的末级功放，支持高线性度与高效率（典型PAE > 60%），满足LTE-Advanced及5G NR频段需求； 雷达系统：用于S波段（2–4 GHz）军用/民用雷达发射模块，具备高增益（>18 dB）、优异热稳定性和脉冲耐受能力； 宽带无线通信基础设施：如点对点微波回传（E-band前向兼容设计）、公共安全通信（TETRA/LMR）及小型基站（Small Cell）增强型PA模块； 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI射频激励系统及RF加热设备，得益于其高可靠性、宽安全工作区（SOA）及集成ESD保护。 该器件采用气腔陶瓷封装（HSR5），支持高功率密度（连续波输出达100W，脉冲可达300W），并优化了热阻（RθJC ≈ 0.35°C/W），便于高效散热设计。需配合NXP推荐的匹配网络与偏置电路以实现最佳线性度与效率平衡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 1000W 50V NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1306HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230-4S |
| 功率-输出 | 1250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24dB |
| 封装/外壳 | NI-1230-4S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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