Datasheet下载- 型号： MMRF1007HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1007HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1007HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1007HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1007HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1007HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMRF1007HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高功率、高频率通信应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：适用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 频段（如 1800–2200 MHz），支持宏基站和中继站的末级功放（PA），具备高增益（>18 dB）、高效率（典型 PAE >60%）及优异线性度，满足严苛的ACLR/IMD要求。 - 无线基础设施设备：用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频功放模块，支持多载波与宽带信号（带宽达 100 MHz+）。 - 广播与专业通信：适用于FM广播发射机（30–108 MHz）、航空/海事通信及公共安全无线系统（如TETRA、P25），凭借高可靠性（10年MTTF）和宽温度工作范围（−40°C 至 +150°C 结温）适应严苛环境。 - 工业与科研射频源：在RF加热、等离子体发生器及测试测量设备中作为固态射频功率源核心器件，支持连续波（CW）或脉冲模式运行。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1229B，即“HSR5”），集成ESD保护与优化热设计，支持直接风冷或液冷散热，简化系统热管理。需配合NXP推荐的匹配网络与偏置电路使用，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 1000W 50V NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1007HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230-4S |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.8dB |
| 封装/外壳 | NI-1230-4S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz |
| 额定电流 | - |
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