Datasheet下载- 型号： MMRF1007HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1007HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1007HR5价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1007HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMRF1007HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1007HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMRF1007HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站射频功率放大器：广泛用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的末级功放（PA），支持 1.8–2.7 GHz 频段，具备高增益（>18 dB）、高效率（典型 PAE >55%）和优异线性度，满足严苛的ACLR与EVM要求； - 无线基础设施设备：如微基站、分布式单元（DU）、有源天线单元（AAU）中的多载波宽带放大模块； - ISM 频段工业/医疗射频系统：适用于 2.4 GHz/5.8 GHz ISM 频段的射频能量发生器（如等离子体生成、射频加热、医疗消融设备）； - 广播与通信发射机：支持 FM 广播、数字电视（DTV）及点对点微波通信中的中高功率射频输出级。 该器件采用陶瓷封装（HR5），具备优异热管理能力（结至壳热阻低至 0.35°C/W），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）下的高可靠性运行，并通过 AEC-Q200 等工业级可靠性认证。需配合匹配网络、偏置电路及散热系统使用，常搭配 NXP 的射频驱动器（如 MMIC）构建完整PA方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH 1000W 50V NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMRF1007HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230-4H |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.8dB |
| 封装/外壳 | NI-1230-4H |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz |
| 额定电流 | - |
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