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- 型号： MML09231HT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MML09231HT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MML09231HT1价格参考。Freescale SemiconductorMML09231HT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MML09231HT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MML09231HT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MML09231HT1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频放大器，工作频率范围为 2.3–2.7 GHz（覆盖 B40/B41 等 LTE/TDD-LTE 及 5G n41 频段），典型增益约 18 dB，P1dB 输出功率达 +29.5 dBm，具备高线性度与良好效率。其主要应用场景包括： 1. 5G Sub-6 GHz 基站前端模块（FEM）：用于小型基站（Small Cell）、微微基站（pico/femto cell）的发射链路末级驱动或末级功放，支持高阶调制（如 256-QAM）下的低ACLR要求； 2. LTE-TDD 宏基站/分布式天线系统（DAS）：作为中继放大或远端射频单元（RRU）中的宽带驱动放大器，增强信号覆盖； 3. 无线宽带接入设备：如固定无线接入（FWA）CPE终端、WiMAX 或专网通信设备的射频发射通道； 4. 测试与仪表应用：在射频信号发生器、综测仪等研发/产测设备中用作可编程增益模块或信号调理级。 该器件采用紧凑型 SOT-363（SC-70）封装，支持直流偏置可调，便于集成于空间受限的高密度 PCB 设计中，适用于需兼顾性能、尺寸与功耗的商用及工业级无线基础设施场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | IC AMP LNA 21DBM GAAS 8DFN |
| 产品分类 | RF 放大器 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | 24.5dBm |
| 产品型号 | MML09231HT1 |
| RF类型 | GSM，LTE，W-CDMA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（2x2） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.36dB |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 测试频率 | 900MHz |
| 电压-电源 | 5V |
| 电流-电源 | 55mA |
| 频率 | 700MHz ~ 1.4GHz |
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