Datasheet下载- 型号： MMIX1F230N20T
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F230N20T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F230N20T价格参考。IXYSMMIX1F230N20T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1F230N20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F230N20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的MMIX1F230N20T是一款高性能增强型硅基SiC（碳化硅）MOSFET，额定电压200 V，典型导通电阻Rds(on)仅2.3 mΩ（@Vgs=15 V），具备超低导通损耗与快速开关特性（Qg约140 nC，Eoss极低）。其应用场景主要面向高效率、高功率密度、高频工作的中压电力电子系统，包括： - 工业电源：如通信基站整流器、服务器AC/DC电源的初级侧PFC（功率因数校正）电路或LLC谐振变换器同步整流，显著提升效率（>98%）并减小散热器体积； - 电机驱动：适用于伺服驱动器、变频器及电动工具中的逆变桥臂，支持高频PWM（≥100 kHz），降低电机铁损与噪声； - 新能源领域：光伏微型逆变器、储能系统（ESS）双向DC/DC变换器，利用其高温稳定性（Tj最高175°C）和零反向恢复电荷（Qrr≈0），提升系统可靠性与效率； - 车载与DC-DC转换：在48 V轻混汽车（MHEV）的高压DC/DC模块中，替代传统Si MOSFET，实现更高开关频率与更紧凑设计。 该器件采用TO-247-4L封装（带开尔文源极引脚），有效抑制共源电感影响，确保驱动稳定性和开关一致性。需配合优化栅极驱动（推荐±5 V关断、15 V开通）及低感PCB布局使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 168A SMPD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMIX1F230N20T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | GigaMOS™ TrenchT2™ HiperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 378nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.3 毫欧 @ 60A， 10V |
| 供应商器件封装 | SMPD |
| 功率-最大值 | 680W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 21-SMD 模块 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 168A （Tc） |
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