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- 型号： MMG2401NR2
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMG2401NR2由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMG2401NR2价格参考。Freescale SemiconductorMMG2401NR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMG2401NR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMG2401NR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMG2401NR2 是 ON Semiconductor（安森美）推出的高性能 GaN 射频功率晶体管（非放大器模块，但常用于构建射频放大器电路），属于射频放大器类器件。其典型应用场景包括： - 5G 基站前端模块（FEM）与宏基站功率放大器：工作频率覆盖 2.3–2.7 GHz（支持 B40/B41 等 5G 频段），具备高增益（>16 dB）、高效率（PAE ≈ 60% @ 2.6 GHz）和高输出功率（Pout ≈ 10 W 连续波），适用于中功率级发射链路。 - 小型蜂窝（Small Cell）与微基站：得益于紧凑封装（DFN 5×5 mm）和良好热性能，适合空间受限、需高效散热的室内/室外分布式基站。 - 无线基础设施测试设备与宽带通信系统：支持宽带线性放大，可用于 LTE-A、5G NR 的信号发生与功放验证平台。 - 雷达与工业射频加热系统：在 L/S 波段（如 2.45 GHz ISM 频段）提供稳定高功率输出，满足部分低功率连续波雷达及等离子体激励等工业应用需求。 注：MMG2401NR2 为分立 GaN HEMT 晶体管，需配合外围匹配网络、偏置电路及驱动设计构成完整射频放大器；并非即插即用的集成放大器模块。实际应用中需重点关注栅极驱动保护、热管理及稳定性设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | IC RF POWER AMP WLAN 12-QFN |
| 产品分类 | RF 放大器 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | - |
| 产品型号 | MMG2401NR2 |
| RF类型 | 802.11g |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-QFN（3x3） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26.5dB |
| 封装/外壳 | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 测试频率 | - |
| 电压-电源 | 3.3V |
| 电流-电源 | 210mA |
| 频率 | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
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