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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ8V2T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ8V2T1G价格参考。ON SemiconductorMMFZ8V2T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMFZ8V2T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMFZ8V2T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ8V2T1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为8.2 V(容差±5%),额定功率为200 mW,采用SOD-123封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定8.2 V基准电压,适用于电池供电设备或待机电源管理。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,钳位敏感电路节点(如MCU输入引脚、通信接口RX线)的瞬态电压,防止ESD或浪涌损坏(如USB、GPIO、I²C总线保护)。 3. 信号电平箝位/限幅:在模拟前端或音频电路中限制信号摆幅,避免后级器件饱和或失真;也可用于波形整形或逻辑电平转换辅助电路。 4. 电源监控与复位电路:配合比较器或专用复位芯片,监测系统电压是否低于8.2 V,触发低电压复位(Brown-out Reset),提升系统可靠性。 5. 消费电子与工业控制:广泛用于智能手机周边、IoT模块、智能电表、LED驱动反馈环路及PLC输入模块等空间受限、成本敏感的中低功率场景。 该器件具备低泄漏电流(IR ≤ 1 µA @ 6.5 V)、快速响应(纳秒级瞬态抑制能力)和高ESD耐受性(HBM ±30 kV),适合对尺寸、可靠性和鲁棒性有要求的应用。注意设计时需合理计算功耗(P = (Vₛ − 8.2) × I_Z),确保工作电流在推荐范围(1–20 mA)内以维持稳压精度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ8V2T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |