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- 型号： MMFZ33T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFZ33T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFZ33T1G价格参考。ON SemiconductorMMFZ33T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFZ33T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFZ33T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFZ33T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为33 V（容差±5%），功率额定值为200 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与电压钳位：常用于电源输入端或敏感IC引脚（如微控制器I/O、通信接口ESD防护电路），在瞬态过压（如ESD、EFT）发生时快速导通，将电压钳位在约33 V，防止后级器件损坏。 2. 基准电压源：在低功耗、精度要求不高的场合（如简易稳压器、电池电压监测阈值设定），可作为低成本参考电压源，配合限流电阻使用。 3. 浪涌抑制与箝位电路：适用于工业传感器接口、继电器线圈反电动势吸收、CAN/LIN总线终端保护等，与TVS或RC网络协同实现分级防护。 4. 消费电子与汽车电子辅助电路：广泛用于机顶盒、打印机、车载信息娱乐系统等中，为MCU复位电路、ADC参考分压网络或LED驱动反馈环路提供稳定箝位点。 该器件具有低漏电流（IR ≤ 0.1 µA @ 26.4 V）、快速响应（响应时间纳秒级）及AEC-Q200认证（适用于汽车级应用），兼顾可靠性与成本优势。需注意：实际设计中应严格计算限流电阻以确保功耗不超200 mW，并考虑温度系数（TC ≈ +3.5 mV/°C）对稳压精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFZ33T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | - |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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