图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFT2N25ET3由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFT2N25ET3价格参考。ON SemiconductorMMFT2N25ET3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMFT2N25ET3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMFT2N25ET3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMFT2N25ET3是一款N沟道增强型MOSFET(逻辑电平兼容),采用SOT-23封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 3.5Ω @ VGS = 10V)、低栅极电荷及快速开关特性。其额定参数为:VDS = 60V,ID = 200mA(连续),PD = 350mW,适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或传感器供电开关; 2. 电池供电系统中的负载开关——用于智能电表、遥控器、IoT终端等,实现低功耗待机与快速唤醒; 3. 信号级模拟开关/电平转换——因具备逻辑电平兼容性(VGS(th)低至1–2.5V),可由MCU GPIO(3.3V/5V)直接驱动,适用于I²C/SPI总线隔离或信号选通; 4. 小型DC-DC转换器辅助电路——如同步整流、栅极驱动缓冲或反馈回路中的采样开关(非主功率器件); 5. 工业与家电中的低功耗控制——如温控器、烟雾报警器、LED指示灯驱动等对尺寸、成本和可靠性要求较高的场合。 需注意:该器件不适用于大电流或高功率场景(如电机驱动主开关、AC-DC适配器主MOSFET),且SOT-23封装散热能力有限,设计时应留足裕量并考虑PCB铜箔散热。总体而言,MMFT2N25ET3是面向空间受限、中低频(<1MHz)、毫安级开关需求的高性价比通用型小信号MOSFET。