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- 型号： MMFT2N02ELT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFT2N02ELT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFT2N02ELT1价格参考。ON SemiconductorMMFT2N02ELT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFT2N02ELT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFT2N02ELT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFT2N02ELT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.5Ω @ VGS = 10V）、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流为0.2A（@ TA = 25°C），适用于低压、小功率场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口负载开关； ✅ 电池供电系统保护电路：用于电池充放电路径的反向阻断、过流/短路保护中的电子保险丝（eFuse）功能； ✅ 逻辑电平兼容开关：因阈值电压低（VGS(th) ≈ 0.8–1.5V），可直接由MCU GPIO（1.8V/3.3V）驱动，常用于信号切换、传感器使能控制或外设电源门控； ✅ DC-DC转换器辅助电路：在升压/降压模块中作同步整流或使能控制开关（非主功率开关，受限于电流能力）； ✅ 消费类家电与IoT节点：如智能灯控、小型传感器节点中的LED驱动、蜂鸣器驱动或继电器驱动级开关。 注意：该器件不适用于大电流或高功率场景（如电机主驱动、AC-DC主开关），需配合限流/散热设计使用。其SOT-23封装便于高密度PCB布局，适合空间受限的微型化设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFT2N02ELT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 800mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | MMFT2N02ELT1OSDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
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