图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF4N01HDR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF4N01HDR2价格参考。ON SemiconductorMMDF4N01HDR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDF4N01HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDF4N01HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF4N01HDR2 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET,采用SOT-23封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约1.2Ω @ Vgs=10V)、小尺寸、低栅极电荷和快速开关特性。其额定电压为100V,连续漏极电流ID为0.4A(Tc=25°C),适用于低压、小功率、空间受限的场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口过流保护开关; ✅ 负载开关(Load Switch):用于MCU或PMIC控制的板级电源域上电/断电管理,实现低静态电流与快速响应; ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流(在低功率DC-DC模块中辅助提升效率); ✅ 电池供电系统的保护电路:如电池充放电路径中的反向阻断或过流切断开关; ✅ 工业与消费类小信号开关应用:如传感器接口、继电器替代、逻辑电平转换驱动等。 需注意:该器件为单N-MOSFET,非逻辑电平驱动型(推荐Vgs ≥ 4.5V可靠导通),设计时应确保驱动电压充足,并考虑PCB散热(SOT-23热阻较高)。不适用于大电流或高频率PWM主功率开关场景。 综上,MMDF4N01HDR2 主要面向对体积、成本与功耗敏感的小功率、中低压开关应用。