Datasheet下载- 型号： MMDF3N04HDR2
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF3N04HDR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF3N04HDR2价格参考。ON SemiconductorMMDF3N04HDR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF3N04HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF3N04HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF3N04HDR2 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = 10 V）、快速开关特性及共源共栅结构设计。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的高边/低边开关，尤其适用于中低功率（如5–30W）的负载点（POL）电源、笔记本电脑主板供电、网络设备电源模块等，提升效率并减小体积。 2. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路，双MOSFET集成简化PCB布局，支持PWM调速与正反转控制，常见于打印机、扫描仪、智能家电等嵌入式系统。 3. 热插拔与负载开关：凭借低阈值电压（VGS(th) ≈ 1–2.5 V）和良好ESD防护能力，可用于USB接口、SATA电源、板级热插拔保护电路，实现平滑上电/断电控制。 4. LED驱动与背光控制：在中小尺寸LCD背光或RGB LED恒流驱动中，作为开关元件配合电流检测与PWM调光，兼顾响应速度与热稳定性。 该器件工作电压范围为0–40 V（VDS），最大连续漏极电流为3.5 A（TA=25°C），具备雪崩耐量，适合工业控制、消费电子及汽车电子（非安全关键系统）等对可靠性与成本敏感的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF3N04HDR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 32V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF3N04HDR2OSCT |
| 功率-最大值 | 1.39W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
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