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  • 型号: MMDF2N05ZR2
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2N05ZR2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2N05ZR2价格参考。ON SemiconductorMMDF2N05ZR2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDF2N05ZR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDF2N05ZR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMDF2N05ZR2 是安森美(onsemi)推出的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 3.5Ω @ Vgs=10V)、低栅极电荷、快速开关特性及小尺寸优势。其额定电压为50V,连续漏极电流(Id)达280mA(Tc=25°C),适用于低压、小功率场景。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口过流保护开关;  
✅ 负载开关(Load Switch):在电池供电系统中实现外设模块(如传感器、蓝牙芯片)的上电/断电控制,降低待机功耗;  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流:在小型升压/降压模块(如PMIC辅助电路)中提升效率;  
✅ 逻辑电平接口与信号切换:兼容3.3V/5V MCU GPIO直接驱动,用于I/O扩展、继电器/蜂鸣器驱动等低电流开关应用;  
✅ 消费类电子保护电路:如电池充电路径管理、反向电压/过流防护中的单管开关元件。

注意:因SOT-23封装散热能力有限,不适用于持续大电流或高功率场合;设计时需确保Vgs ≥ 4.5V以充分导通,并预留足够PCB铜箔散热面积。该器件强调集成度、成本敏感与空间受限场景下的可靠开关性能。
产品参数 图文手册 常见问题
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