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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ6V2ALT3由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ6V2ALT3价格参考。ON SemiconductorMMBZ6V2ALT3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ6V2ALT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ6V2ALT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ6V2ALT3 是安森美(ON Semiconductor)推出的双向TVS(瞬态电压抑制)二极管,采用SOT-23封装,额定反向关断电压为6.2 V,击穿电压典型值约6.8 V,峰值脉冲功率为200 W(10/1000 μs波形),响应时间小于1 ns。其主要应用场景包括: 1. 接口电路保护:广泛用于USB、RS-232/485、CAN、I²C等低速通信端口,防止静电放电(ESD,±15 kV接触放电)、雷击感应浪涌或电源耦合瞬变损坏后级IC(如微控制器、收发器)。 2. 便携式电子设备:在智能手机、平板、TWS耳机等产品中,保护电池管理单元(BMS)、充电接口及传感器信号线免受ESD冲击。 3. 电源输入端初级防护:常与压敏电阻或保险丝配合,用于3.3 V/5 V低压直流供电线路(如LDO输入侧),吸收开关噪声、热插拔尖峰等瞬态过压。 4. 汽车电子辅助应用:适用于非关键车载模块(如车身控制模块BCM中的灯光控制、雨刷接口),满足AEC-Q200基础可靠性要求(该型号具备AEC-Q200认证版本,需确认具体料号后缀)。 其小尺寸(SOT-23)、低钳位电压(约12 V @ Ipp)和高ESD耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4),特别适合空间受限、需快速响应的低压精密电路保护场景。注意:不适用于高压或大能量浪涌主防护,应配合前端GDT或MOV使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 3VWM 8.7VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ6V2ALT3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-峰值脉冲 | 24W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-击穿(最小值) | 5.89V |
| 电压-反向关态(典型值) | 3V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 8.7V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.76A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |