Datasheet下载- 型号： MMBZ5263ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5263ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5263ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5263ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5263ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5263ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5263ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单颗贴片齐纳二极管，标称稳压值为47 V（容差±5%），额定功率为225 mW（SOT-23封装），最大反向电流（IZT）为1.7 mA，动态电阻低（典型值约120 Ω），具有良好的温度稳定性和快速响应特性。 其典型应用场景包括： ✅ 过压保护：在电源输入端或敏感模拟电路前级，作为钳位器件，吸收瞬态浪涌（如ESD或感应电压），防止后级IC损坏； ✅ 基准电压源：在低功耗、非精密要求的场合（如简易稳压器、电池电压检测电路、LED恒流驱动反馈环路）中提供稳定参考电压； ✅ 信号电平钳位/限幅：用于通信接口（如RS-232、CAN总线收发器）或传感器信号调理电路中，限制信号摆幅，避免超出ADC或MCU输入范围； ✅ 辅助电源稳压：为小电流外围电路（如EEPROM、实时时钟RTC、偏置电路）提供简单、低成本的局部稳压； ✅ 反向极性/反接保护辅助电路：配合MOSFET或二极管构成简易保护方案，利用其击穿特性实现电压阈值判定。 注意：因功率较小（225 mW），不适用于大电流稳压场景；设计时需确保功耗不超过额定值（P = VZ × IZ），并留足裕量。推荐配合限流电阻使用，兼顾可靠性与响应速度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 56V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5263ELT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 43V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5263ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 150 欧姆 |
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