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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5263B-HE3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5263B-HE3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5263B-HE3-18价格参考。VishayMMBZ5263B-HE3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5263B-HE3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5263B-HE3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5263B-HE3-18 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为6.2 V（典型），容差±5%，功率额定值为300 mW（SOT-23封装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定基准电压； 2. 过压保护（钳位）：与TVS或限流电阻配合，用于I/O端口或通信线路（如UART、I²C）的ESD/瞬态电压抑制，防止后级IC因反向或浪涌电压损坏； 3. 电源轨箝位：在3.3 V或5 V系统中，对敏感节点（如MCU复位引脚、EEPROM写入电压）进行6.2 V精准钳位，避免超压； 4. 低成本稳压替代方案：适用于对精度要求不高但需小尺寸、高可靠性的便携设备（如蓝牙耳机、可穿戴设备、智能电表）中的局部稳压； 5. 反向极性保护辅助电路：与MOSFET或二极管组合，实现简易反接保护中的电压检测与控制逻辑。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ +2 mV/°C）及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦可用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的传感器供电）。注意：不适用于大电流稳压，须配合限流电阻使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 5% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5263B-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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