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- 型号： MMBZ5261C-HE3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5261C-HE3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5261C-HE3-18价格参考。VishayMMBZ5261C-HE3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5261C-HE3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5261C-HE3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5261C-HE3-18 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为 75 V（容差 ±5%），最大功率耗散为 300 mW，采用 SOT-23 封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位：常用于电源输入端或敏感模拟/数字电路（如 MCU I/O、传感器接口）中，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合 TVS 或 ESD 保护器件，将异常高压钳位在安全范围内，防止后级元件损坏。 2. 基准电压源：在低功耗、非精密要求的场合（如电池供电设备中的简易电压检测、阈值比较电路），可提供相对稳定的 75 V 参考点，用于欠压/过压告警或开关控制。 3. 反馈回路稳压：在小功率离线式开关电源（如适配器、LED 驱动器）的次级侧反馈网络中，与光耦配合实现输出电压粗略调节；或用于初级侧 RCD 吸收电路的电压箝位，限制开关管关断尖峰。 4. ESD 与浪涌防护增强：虽非专用 TVS，但因其快速响应和稳定击穿特性，可作为低成本补充保护，提升系统对 ESD（IEC 61000-4-2）及轻度浪涌（如 100 V/1 A 8/20 μs）的耐受能力。 注意：该器件适用于中小电流（≤10 mA）、中低频（DC 至数百 kHz）场景，不推荐用于高精度稳压或大电流分流；实际应用需结合限流电阻设计，并留足功率余量以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5261C-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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