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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5261B-HE3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5261B-HE3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5261B-HE3-18价格参考。VishayMMBZ5261B-HE3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5261B-HE3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5261B-HE3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5261B-HE3-18 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为75 V（容差±5%），功率为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位：常用于电源输入端或敏感信号线（如通信接口、传感器输出）中，当瞬态电压超过75 V时导通泄放能量，保护后级IC（如MCU、运放、ADC）免受浪涌或ESD冲击。 2. 基准电压源：在低功耗、非精密场合（如电池供电设备的电压监测电路）中，提供相对稳定的75 V参考点，配合分压电阻实现阈值检测或状态指示。 3. 反馈回路稳压辅助：在开关电源（如DC-DC转换器）的次级侧或辅助绕组检测电路中，与光耦配合实现过压保护（OVP），提升系统安全性。 4. 工业与汽车电子：适用于车载信息娱乐系统、CAN总线终端保护、PLC输入模块等需耐受较高反向瞬变电压（如负载突降）的场景（符合AEC-Q200基础要求，具体以器件规格书为准）。 注：该器件为单齐纳结构，不集成TVS特性，设计时需配合限流电阻使用，并注意功耗限制（≤300 mW）及温度降额。实际选型应严格参照Vishay官方数据手册（DS-MMBZ52xxB-HE3-18）中的电气参数与热特性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 5% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5261B-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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