Datasheet下载- 型号： MMBZ5259BLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5259BLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5259BLT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5259BLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5259BLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5259BLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5259BLT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为75 V（容差±5%），功率为225 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护：常用于电源输入端或敏感IC引脚（如微控制器I/O、ADC参考电压端）的瞬态电压抑制（TVS辅助功能），配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护。 2. 电压基准与参考：在低功耗、非精密场合（如电池电压监测、简易稳压偏置电路）中提供稳定参考电压，适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的消费类电子设备。 3. 信号电平钳位：在通信接口（如RS-232、CAN总线收发器前端）或模拟信号调理电路中，限制信号摆幅，防止后级器件因过压损坏。 4. 反馈回路稳压：在小功率DC-DC转换器或线性稳压器的反馈分压网络中，作为高阻抗电压采样点的基准元件（需注意其动态阻抗及温度特性）。 该器件具有低漏电流（IR ≤ 0.1 µA @ 60 V）、快速响应（纳秒级）和高可靠性特点，广泛应用于工业控制、汽车电子（符合AEC-Q200）、家电及便携式设备中。需注意：其功率较小，不可用于大电流稳压；设计时应严格校核功耗（P = Vz × Iz），避免热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 39V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5259BLT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
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