Datasheet下载- 型号： MMBZ5259BLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5259BLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5259BLT1G价格参考￥0.08-￥0.10。ON SemiconductorMMBZ5259BLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5259BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5259BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5259BLT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单齐纳二极管，属于低功率表面贴装器件，齐纳电压约为20V（具体值需参考数据手册），常用于电压钳位、稳压及保护电路中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于稳压或作为参考电压源，确保电路在输入电压波动时仍能稳定工作。 2. 电压保护：在敏感电子元件前作为过压保护器件，防止因电压突波或静电放电（ESD）造成的损坏。 3. 信号调节电路：在模拟电路中用于限制信号幅度，防止信号过载。 4. 电池供电设备：如便携式电子产品、电池管理系统中，用于电压监测和保护。 5. 通信设备：在通信接口电路中提供电压钳位，保护后续电路免受高压冲击。 6. 工业控制系统：用于传感器信号调理、PLC输入保护等场合。 该器件采用SOT-23封装，体积小、响应速度快，适合高密度PCB布局和高频应用。因其封装和电气特性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 39V 225MW SOT23-3稳压二极管 39V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5259BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5259BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5259BLT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5259B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 齐纳电压 | 39 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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