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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5258C-HE3-18由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5258C-HE3-18价格参考。VishayMMBZ5258C-HE3-18封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5258C-HE3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5258C-HE3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5258C-HE3-18 是 Vishay Intertechnologies 推出的一款表面贴装(SMD)齐纳二极管,标称稳压值为 39 V(典型值),容差 ±5%,最大功率耗散为 300 mW(在 Tₐ = 25°C 下),采用 SOT-23 封装。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:用于低功耗电路中提供稳定参考电压,如传感器信号调理、ADC/DAC 基准源、电源监控电路等。 2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,钳位瞬态高压(如ESD、开关噪声),保护后级敏感器件(如MCU I/O口、通信接口芯片)。 3. 电源轨箝位与浪涌抑制:在3.3V/5V系统中,常与低压器件协同实现多级防护;虽本身39V,但可配合分压网络或用于次级稳压回路。 4. 反馈环路补偿:在开关电源(如DC-DC转换器)的光耦反馈路径中,作为辅助稳压元件,提升输出精度与稳定性。 5. 工业与消费电子:广泛应用于智能电表、LED驱动器、便携设备电源管理、汽车电子(符合AEC-Q200 Grade 1,适用于非安全关键车载模块)及IoT终端等对尺寸、可靠性和温度稳定性有要求的场景。 该型号具备低漏电流(I_ZK ≤ 1 µA @ 1 V)、良好温度系数(α_VZ ≈ 0.07 %/°C)及高可靠性,适合空间受限、需长期稳定工作的嵌入式系统。注意设计时需校核功耗(P = V_Z × I_Z)并确保散热条件满足降额要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5258C-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |