Datasheet下载- 型号： MMBZ5254ELT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5254ELT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5254ELT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5254ELT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5254ELT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5254ELT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5254ELT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为27 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为300 mW（在25℃下），采用SOT-23封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定基准电压；适用于输入电压波动较小的局部稳压场合（如电池供电设备中的3.3V/5V系统后级27V偏置稳压）。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于保护敏感IC免受瞬态过压（如ESD、感应尖峰）损害，例如在通信接口（RS-232、CAN收发器电源侧）或电源输入端作钳位元件。 3. 电平转换与信号限幅：在模拟信号调理电路中限制信号幅度，防止运放饱和或ADC超量程；也可用于逻辑电平适配（如将高电平钳位至27V以兼容工业传感器输出）。 4. 低成本替代方案：在对精度要求不高、电流≤10 mA的场合（如LED驱动恒流源反馈节点、简单电源监控电路），可替代更高成本的基准IC。 注意：该器件不适用于大电流或高精度稳压（温度系数约−1.5 mV/℃，动态阻抗约60 Ω），设计时需校核功耗（P = Vz × Iz）并确保散热条件满足SOT-23封装限制。广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子（符合AEC-Q200）及通信模块中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5254ELT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 21V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 27V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 41 欧姆 |
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