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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5251B由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5251B价格参考。Fairchild SemiconductorMMBZ5251B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5251B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5251B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5251B 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为30 V(容差±5%),最大功率耗散为225 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O端口提供稳定30 V基准电压;适用于无需高精度但要求成本与尺寸优化的场合。 2. 过压保护(OVP):并联于敏感器件(如MCU、通信接口芯片)电源端,当输入电压异常升高(如浪涌、反接或LDO失效)时,齐纳击穿导通,钳位电压至≈30 V,配合限流电阻实现简单可靠的瞬态过压防护。 3. 信号电平钳位/限幅:用于模拟信号调理电路(如音频前端、传感器信号链),限制信号摆幅在安全范围内,防止后级电路饱和或损坏。 4. 电源监控与反馈:在简易开关电源或线性稳压器的反馈网络中辅助设定输出电压,或用于电压检测电路(如电池管理系统中的高压阈值判别)。 5. ESD防护辅助:虽非专用TVS器件,但在低速、低能量静电场景下可作为补充钳位元件,增强系统ESD鲁棒性(需配合主防护器件使用)。 注意:该器件不适用于大电流稳压或高频瞬态抑制,设计时需严格核算功耗(P = Vz × Iz)并确保工作电流在1–20 mA推荐范围内,以兼顾稳定性与温升控制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 22V 350MW SOT23-3稳压二极管 22V 0.35W Zener |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor MMBZ5251B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5251B |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 17V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5251BCT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 29 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 22V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5251 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 29 欧姆 |
| 齐纳电压 | 22 V |
| 齐纳电流 | 5.6 mA |