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产品简介:
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MMBZ5250ELT3G 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为10 V(容差±5%),额定功率为225 mW(SOT-23封装),最大稳定电流IZM约20 mA。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与参考:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)提供稳定、低成本的10 V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,钳位IC输入端或电源轨电压(如微控制器I/O口、通信接口),防止瞬态过压损坏; 3. 电源稳压辅助:在低压线性稳压器(如LDO)前级或反馈环路中作简易稳压/分压元件,提升输出精度或实现双阈值检测; 4. ESD防护协同:常与TVS器件搭配,构成多级静电防护方案,吸收中小能量浪涌; 5. 消费电子与工业控制:广泛用于智能电表、LED驱动、电机控制板、便携设备等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场合。 该器件具有低动态阻抗(约17 Ω)、快速响应及AEC-Q200认证(适用于汽车电子),兼顾工业级温度范围(–65°C 至 +150°C),适合高可靠性设计。需注意合理选配限流电阻以避免超功耗,并确保PCB布局满足热管理要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 20V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MMBZ5250ELT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 20V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 25 欧姆 |