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Datasheet下载- 型号： MMBZ5250B-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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MMBZ5250B-7-F产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5250B-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5250B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5250B-7-F封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 20V 350mW ±5% Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBZ5250B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5250B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5250B-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为27V（容差±5%），功率为300mW（@Tamb=25°C），采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定基准电压；适用于输入电压波动较小、负载电流较轻（通常＜10mA）的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或串联限流电阻配合，用于IC电源引脚（如MCU、通信接口）的瞬态箝位，防止ESD或浪涌导致的过压损坏（需注意其响应速度和功率耐受能力有限，不适用于高能量脉冲）。 3. 电平转换与逻辑钳位：在数字电路中限制信号电压幅值（如将5V/3.3V系统与27V侧隔离时作电平箝位），避免后级器件承受超压。 4. 电源监控与反馈：在简易线性稳压器或LDO反馈网络中辅助设定输出电压，或用于电池电压检测阈值设定（如27V铅酸电池组过压告警）。 需注意：该器件为通用型齐纳管，非高精度或低温漂型号，不适用于高稳定性要求的精密基准；其动态阻抗约70Ω，大电流下稳压性能下降，设计时应合理选配限流电阻并校核功耗。实际应用中建议查阅TI官方数据手册确认热降额及可靠性参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 20V 350MW SOT23-3稳压二极管 350MW 20V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5250B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5250B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 15V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5250B-FDIDKR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5250B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
| 齐纳电压 | 20 V |
