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1N5257BTR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5257BTR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5257BTR价格参考。Fairchild Semiconductor1N5257BTR封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 33V 500mW ±5% Through Hole DO-35。您可以下载1N5257BTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5257BTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5257BTR 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - 1N5257BTR 的额定齐纳电压为 36V,适用于需要稳定电压的电路中。例如,在电源电路中,它可以用来将输出电压稳定在 36V 左右,确保负载设备获得稳定的供电。 2. 过压保护 - 在电子设备中,齐纳二极管常用于防止瞬态高压损坏敏感元件。例如,在信号输入端或电源输入端,1N5257BTR 可以限制电压不超过 36V,从而保护后续电路。 3. 信号电平调整 - 在通信或控制电路中,齐纳二极管可以用来调整信号电平。例如,将较高的输入信号钳位到 36V,以匹配后级电路的工作范围。 4. 参考电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的反向击穿电压特性,1N5257BTR 可作为参考电压源,用于模拟电路或比较器电路中,提供精确的基准电压。 5. 浪涌抑制 - 在工业或汽车电子中,齐纳二极管可用于抑制电压浪涌。例如,在电机启动或停止时产生的瞬态电压,可以通过 1N5257BTR 进行钳位,避免对其他电路造成损害。 6. 音频电路中的应用 - 在音频放大器或其他模拟电路中,齐纳二极管可以用作偏置电压的稳定器,确保放大器工作在正确的偏置点。 注意事项: - 使用时需注意功率限制,1N5257BTR 的最大耗散功率为 500mW,因此在设计电路时应确保齐纳电流和电压不会超过其额定值。 - 需要合理选择散热措施,尤其是在高功率或高温环境下使用时。 总结来说,1N5257BTR 主要应用于需要电压稳压、过压保护、参考电压生成以及信号处理的场景,是一款性能可靠且成本较低的齐纳二极管。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 33V 500MW DO35稳压二极管 33V 0.5W Zener |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N5257BTR- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5257BTR |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-35 |
其它名称 | 1N5257BTRFSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 126 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 5000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 58 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 0.092 %/C |
系列 | 1N5257B |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 58 欧姆 |
齐纳电压 | 33 V |
齐纳电流 | 3.8 mA |