图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PTZTE2510B
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTZTE2510B由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTZTE2510B价格参考￥1.31-￥2.87。ROHM SemiconductorPTZTE2510B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTZTE2510B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTZTE2510B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PTZTE2510B 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款单齐纳二极管，主要用于电压调节和稳压应用。该器件的齐纳电压为10V，适合用于需要稳定参考电压的电子电路中。 其主要应用场景包括： 1. 电源电路中的电压基准：PTZTE2510B可作为精密电压基准源，为比较器、运算放大器或其他模拟电路提供稳定的参考电压，确保系统工作的稳定性与精度。 2. 过压保护电路：在电源管理或电池管理系统中，该齐纳二极管可用于检测电压是否超过设定值，从而触发保护机制，防止设备因过压损坏。 3. 信号调理电路：在传感器或测量设备中，PTZTE2510B可用于限制输入信号幅度，起到钳位作用，保护后续电路不受高压信号影响。 4. 嵌入式系统和工业控制：由于其封装小巧、性能稳定，适用于各种嵌入式系统、工控设备中的电压监控和稳压场合。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，用于内部电源管理模块中的电压参考或限压保护。 综上所述，PTZTE2510B凭借其稳定的齐纳电压特性和小型封装，广泛应用于各类需要电压基准和稳压保护的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 10.3V 1W PMDS稳压二极管 10V 1W |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor PTZTE2510B- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PTZTE2510B |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 7V |
| 产品 | Zener Diode |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | PMDS |
| 其它名称 | PTZTE2510B-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SOD-106 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 最大反向漏泄电流 | 10 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 6 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10.3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 6.9 mV/deg C |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 6 欧姆 |
| 齐纳电压 | 10.3 V |
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