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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX79-C30,133由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX79-C30,133价格参考。NXP SemiconductorsBZX79-C30,133封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX79-C30,133参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX79-C30,133 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX79-C30 是由 Nexperia(前身为恩智浦半导体的一部分)生产的齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 BZX79-C30 的典型齐纳电压为 30V(±5% 精度),适合用作电压稳压器。它可以在电路中提供稳定的参考电压,确保后级电路在一定范围内正常工作。例如: - 在电源电路中稳定输出电压。 - 为运算放大器、比较器等模拟电路提供基准电压。 2. 过压保护 该齐纳二极管可用于防止电路中的过压现象,保护敏感元件。例如: - 在传感器接口中限制输入电压,避免损坏后续电路。 - 在通信线路中吸收瞬时高压,保护接收设备。 3. 信号箝位 BZX79-C30 可用于信号处理电路中,将输入信号限制在特定的电压范围内。例如: - 在音频电路中防止信号幅度过大导致失真。 - 在数字电路中将输入信号箝位到安全的工作范围。 4. 电源监控与报警 利用齐纳二极管的击穿特性,可以设计简单的电源监控电路。当电源电压低于或高于设定值时,触发报警或关断电路。例如: - 监控电池电压,提醒用户及时充电。 - 检测电源异常并采取保护措施。 5. 浪涌抑制 BZX79-C30 能够吸收短暂的电压浪涌,保护下游电路。例如: - 在开关电源中抑制启动时的浪涌电压。 - 在汽车电子中应对点火系统产生的瞬态高压。 6. 温度补偿电路 齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化,BZX79-C30 可用于设计温度补偿电路,以抵消其他元件(如晶体管)的温度漂移。 总结 BZX79-C30 主要应用于需要精确电压参考、过压保护和信号箝位的场景。它具有良好的稳定性和可靠性,适用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 30V 400MW ALF2稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZX79.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX79-C30,133- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX79-C30,133 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 21V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | ALF2 |
| 其它名称 | 933117900133 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 25.7 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
| 零件号别名 | AMO BZX79-C30 |
| 齐纳电压 | 30 V |