Datasheet下载- 型号： MMBZ5237BLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5237BLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5237BLT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5237BLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5237BLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5237BLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5237BLT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单齐纳二极管，属于低功耗表面贴装器件，广泛应用于各类电子设备中。该器件具有稳定的击穿电压（标称为16V）和较小的动态阻抗，适用于需要电压参考或电压钳位的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电压参考：在电源管理、ADC/DAC电路或模拟电路中提供稳定参考电压，确保系统工作的准确性。 2. 过压保护：用于保护敏感电子元件免受瞬态高压或静电放电（ESD）损害，如在通信接口（USB、RS232）或传感器输入端。 3. 稳压电路：在低功耗电路中作为简易稳压元件，稳定供电电压，如用于微控制器、逻辑电路的供电稳压。 4. 信号钳位：在模拟信号处理电路中限制信号幅度，防止后级电路因电压过高而损坏。 5. 便携设备：由于其小型封装（SOT-23），适用于空间受限的手持设备、电池供电系统等。 综上，MMBZ5237BLT1G适用于需要稳定16V参考或保护功能的电子系统中，尤其适合对尺寸和功耗有要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3稳压二极管 8.2V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5237BLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5237BLT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 6.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5237BLT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5237B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.2 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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