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产品简介:
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MMBZ5237ELT3G 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为8.2 V(容差±5%),额定功率为200 mW(SOT-23封装),最大测试电流IZT为20 mA,动态阻抗低(典型值15 Ω),响应快、温度稳定性好。 其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O端口提供稳定8.2 V基准电压; 2. 过压保护(钳位):与TVS或串联限流电阻配合,用于ESD防护或瞬态电压抑制,防止后级IC(如MCU、通信接口)因浪涌或反向电压损坏; 3. 电源轨箝位:在5 V/3.3 V系统中,配合分压网络实现逻辑电平转换或信号限幅; 4. 简易稳压器:适用于小电流负载(≤10 mA)的辅助电源,如实时时钟(RTC)、EEPROM偏置或LED恒流驱动的基准设定; 5. 工业与消费电子:广泛用于电源管理模块、电池供电设备、智能电表、IoT节点及汽车电子中的板级电压监控与保护电路。 该器件具备AEC-Q200认证(部分批次),满足汽车级可靠性要求,亦适用于工控和便携式设备。注意需配合限流电阻使用,避免超过最大功耗与额定电流。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MMBZ5237ELT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 6.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 8 欧姆 |