Datasheet下载- 型号： MMBZ5235ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5235ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5235ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5235ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5235ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5235ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5235ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单管齐纳二极管，标称稳压值为6.8 V（容差±5%），额定功率为250 mW（SOT-23封装），最大测试电流为20 mA，动态电阻低（典型值10 Ω），具有良好的温度稳定性和快速响应特性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：在低压电源、传感器信号调理电路或ADC/DAC参考源中提供稳定基准电压； 2. 过压保护（Clamping）：与TVS或串联限流电阻配合，用于I/O端口、通信接口（如UART、I²C）的瞬态电压钳位，防止ESD或浪涌损坏后级芯片； 3. 电源稳压/分流调节：在小电流负载（≤10 mA）场景下，作为简单低成本的并联稳压器，适用于电池供电设备、待机电源或辅助电源轨； 4. 反馈电路补偿：在开关电源（如DC-DC转换器）的光耦反馈路径中，辅助设定误差放大器参考电平； 5. 逻辑电平转换与箝位：在3.3 V/5 V混合系统中，限制信号电压幅值，避免超限输入。 该器件因体积小（SOT-23）、成本低、可靠性高，广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子（符合AEC-Q200）及物联网终端设备中。需注意：仅适用于低功耗稳压场景，不可替代大功率稳压IC；设计时应确保功耗不超过250 mW，并预留足够散热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5235ELT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5235ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
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