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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5235BTS-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5235BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5235BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5235BTS-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5235BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5235BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5235BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双路共阴极齐纳二极管阵列，标称稳压值为6.8 V（典型值），容差±5%，功率耗散为200 mW（每通道）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗便携式设备（如传感器模块、IoT节点、可穿戴设备）中，为ADC参考源、LDO反馈网络或微控制器复位电路提供稳定基准电压。 2. 过压保护（OVP）与ESD防护：利用其快速钳位特性，常与TVS或串联限流电阻配合，用于USB、I²C、GPIO等低压信号线的瞬态抑制和静电放电（IEC 61000-4-2 Level 4兼容）防护。 3. 双通道冗余/分立稳压：共阴极结构支持两个独立稳压路径（如分别保护模拟与数字电源域），适用于空间受限的紧凑型PCB设计（SOT-563封装，尺寸仅1.6×1.6×0.6 mm）。 4. 低成本替代方案：相较于单颗齐纳+外置二极管方案，该阵列节省布板面积、减少器件数量，广泛用于消费电子（机顶盒、遥控器）、工业控制（PLC输入接口）、汽车电子（车身控制模块非安全相关电路）等对成本与可靠性有平衡要求的场景。 注意：不适用于高精度（需温补基准）或大电流（>10 mA持续稳压）场合；使用时需确保功耗在额定范围内，并考虑温度系数（约−1.5 mV/°C）对精度的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER TRIPLE 6.8V SOT363 |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5235BTS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 配置 | 3 个独立式 |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 5 欧姆 |
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